삼성전자가 역대 최고 수준의 공정 개발 난제를 극복하고 세계 최초로 ‘10나노급 2세대(1y나노) D램’을 양산한다.
삼성전자는 지난 달부터 세계 최소 칩 사이즈의 10나노급(1나노: 10억분의 1미터) 8GB DDR4 D램을 양산하고 있다.
2016년 2월에 ‘1x나노(10나노급 1세대) 8GB D램’을 양산하며, 본격적인 10나노급 D램 시대를 연 삼성전자는 21개월 만에 또다시 반도체 미세공정 한계를 극복했다.
삼성전자는 차세대 극자외선(EUV) 노광장비를 사용하지 않고도 1세대 10나노급 D램보다 생산성을 약 30% 높여 글로벌 고객의 프리미엄 D램 수요 증가에 적기 대응할 수 있는 초격차 경쟁력을 구축했다.
삼성전자는 2012년에 양산한 2y나노(20나노급) 4GB DDR3보다 용량/속도/소비전력효율을 2배 향상한 이번 2세대 10나노급 D램 양산을 통해, 일부 응용처 제품을 제외하고 전면 10나노급 D램 양산 체제로 돌입할 계획이다.
한편 이번 2세대 10나노급 D램 제품에는 ▲초고속⸳초절전⸳초소형 회로 설계 ▲초고감도 셀 데이터 센싱 시스템 설계 ▲2세대 에어 갭(Air Gap) 공정 등 3가지 첨단 혁신 공정이 적용됐다.
이 기술을 통해 기존 1세대 10나노급 D램 대비 속도가 10% 이상 향상됐고, 데이터 읽기 특성도 2배 이상 향상됐다.
삼성전자 메모리사업부 진교영 사장은 “발상을 전환한 혁신적 기술 개발로 반도체의 미세화 기술 한계를 돌파했다”며, “향후 1y나노 D램의 생산 확대를 통해 프리미엄 D램 시장을 10나노급으로 전면 전환해 초격차 경쟁력을 더욱 강화할 것”이라고 강조했다.
