[smartPC사랑=이철호 기자] 기존의 DRAM과 플래시 메모리의 장점을 결합한 스토리지 클래스 메모리(SCM)이 '차세대 메모리'로 주목을 받으면서 관련 기술 개발이 활발히 이뤄지고 있는 것으로 나타났다.

8일 특허청(청장: 박원주)에 따르면, 2014년부터 2018년까지 최근 5년간 스토리지 클래스 메모리 관련 출원은 연 평균 46건으로 나타났다. 그 이전 5년간(2009년~2013년) 연평균 출원건수인 11건에 비해 4배 이상 증가한 것이다.

세부 기술별 특허출원 동향을 살펴보면, 스토리지 클래스 메모리를 주기억장치로 사용하는 기술이 58%로 가장 많고, 스토리지 클래스 메모리를 보조기억장치로 사용하는 기술(19%), 주기억장치와 보조기억장치의 처리 속도 차이에 따른 병목 현상을 개선하기 위해 스토리지 클래스 메모리를 캐시 메모리로 사용하는 기술(17%) 순으로 조사됐다.

시스템 속도 10배 이상 개선하는 스토리지 클래스 메모리

스토리지 클래스 메모리는 플래시 메모리처럼 비휘발성 속성을 제공하면서 동시에 DRAM처럼 바이트 단위로 랜덤 접근을 지원하는 메모리다. 데이터 처리 속도가 DRAM과 비슷하면서도 전원 공급이 중단되어도 데이터가 사라지지 않는다는 장점이 있다. 이를 통해 SCM을 채택하면 시스템 속도가 10배 이상 빠르게 개선될 수 있는 것으로 알려져 있다.

이러한 스토리지 클래스 메모리를 활용하면 인공지능(AI), 빅데이터, 사물인터넷(IoT) 등 4차 산업혁명 관련 기술의 상용화와 함께 점점 폭증하는 데이터 트래픽을 더 빠르고 효율적으로 처리할 수 있을 것으로 보인다.

삼성전자, SK하이닉스는 물론 해외에서도 높은 관심

최근 10년간 출원인별 특허출원 동향을 살펴보면, 메모리 반도체 기술 특성상 기업 및 대학·연구소가 대다수(99%)를 차지하고 있다. 주요 출원인으로는 삼성전자(29%), SK하이닉스(19%), 인텔(16%), 마이크론(10%) 순으로 조사됐다.

삼성전자와 SK하이닉스는 기존 D램 분야에서 축적한 기술적 우위를 바탕으로 스토리지 클래스 메모리를 주기억장치로 활용하는 방안에 관심을 갖고 있다. 한편, 미국의 인텔은 마이크론과 공동 개발한 비휘발성 메모리 기술인 3DXPoint를 활용해, 주기억장치와 보조기억장치의 데이터 처리 속도 차이에 따른 병목 현상을 개선하는 연구에 중점을 두고 있는 것으로 보인다.

특허청 이동영 전자부품심사과장은 "DRAM 및 플래시 메모리 시장 점유율 세계 1위인 우리나라에게는 스토리지 클래스 메모리 등장이 위기일 수 있다"면서 "이러한 위기를 기회로 바꾸기 위해서는 스토리지 클래스 메모리에 대한 관련 기술 동향 분석 및 연구개발을 지속할 필요가 있다"고 말했다.

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