삼성전자, 중국 시안에 반도체공장 2기 라인 착공
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삼성전자, 중국 시안에 반도체공장 2기 라인 착공
  • 이철호 기자
  • 승인 2018.03.29 09:17
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▲ 삼성전자 시안 반도체 신규라인에서 생산된 낸드플래시 제품.

[smartPC사랑=이철호 기자] 삼성전자가 3D 수직구조 낸드플래시 수요 증가에 대응하고자 중국 시안 반도체 사업장에 2기 라인을 건설한다. 지난 2012년 이후 6년 만이다.

삼성전자는 3월 28일 오전 중국 산시성(陕西省) 시안시(西安市)에서 후허핑(胡和平) 산시성 성위서기, 먀오웨이(苗圩) 공신부 부장, 류궈중(刘国中) 산시성 성장, 노영민 주중 한국대사, 이강국 주시안 총영사, 삼성전자 대표이사 김기남 사장 등이 참석한 가운데 ‘삼성 중국반도체 메모리 제 2라인 기공식’을 실시했다.

지난 17년 8월 삼성전자는 시안 반도체 2기 라인 투자를 위해 산시성(陕西省) 정부와 MOU를 체결한 바 있으며 향후 3년간 총 70억 불을 투자하기로 했다. 이는 우리 돈으로 약 7조 5천억 원에 달하는 규모다.

삼성전자는 이를 통해 낸드플래시(V-NAND)를 필요로 하는 글로벌 IT 시장의 요구에 적극 대응하겠다는 계획이다. 모바일 기기는 물론 SSD, 클라우드, 서버 등에서의 데이터 증가 때문에 낸드플래시 수요가 높기 때문이다. 실제로, 시장조사기관 IHS마켓은 올해 낸드플래시 시장 매출이 지난해 538억 달러에서 올해 592억 달러로 증가할 것으로 예측했다.

특히, 낸드플래시 최대 수요처이자 글로벌 모바일, IT업체들의 생산기지가 집중돼 있는 중국시장에서 제조 경쟁력을 더욱 강화하고, 중국 시장 요구에 보다 원활히 대응할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

삼성전자 김기남 사장은 기념사를 통해 "시안 2기 라인의 성공적인 운영으로 최고의 메모리 반도체 제품 생산과 함께, 차별화된 솔루션을 고객에게 제공해 글로벌 IT 시장 성장에 지속 기여하겠다"고 말했다.


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