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삼성전자, 플래시 메모리의 새로운 역사를 쓰다

PC사랑l승인2006.09.15l수정2006.09.15 10:46

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  삼성전자가 CFT 기술로 만든 32Gb 낸드 플래시 상용화에 성공했다.

  지금까지 플래시 메모리를 만드는 온 플로팅 게이트 방식으로는 전기 간섭 때문에 40nm 보다 더 정밀하게 만드는 것이 어려웠다. 삼성전자는 부도체 물질에 데이터를 기록하는 CTF(Charge Trap Flash) 기술을 개발해 32Gb 용량의 낸드 플래시 메모리를 만들어 플래세 메모리 역사를 새롭게 쓰기 시작했다.

  이를 통해 삼성전자는 2008년 32Gb 낸드 플래시 메모리 MP3 플레이어를 내놓을 계획이고 128Gb의 SSD(solid state disk)를 만들어 노트북 PC에서 1.8인치 하드디스크 대신 할 계획을 가지고 있다. 하드디스크 대신 플래시 메모리를 쓴 노트북은 작동속도가 빨라지는 것은 물론 전기를 적게 써 배터리 사용시간도 훨씬 길어진다.

  삼성전자는 40nm CTF 기술로 64Gb까지 메모리를 만들 수 있고 20nm도 머지 않았다고 밝히고 올 해를 PC시장에 낸드 플래시 메모리가 진입하는 원년으로 삼겠다고 자신했다.


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