인텔-마이크론, 비휘발성 메모리 신기술 ‘3D 크로스 포인트’ 공개
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인텔-마이크론, 비휘발성 메모리 신기술 ‘3D 크로스 포인트’ 공개
  • 김희철 기자
  • 승인 2015.07.29 18:32
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인텔과 마이크론은 금일 새로운 비휘발성 메모리 기술인 3D XPoint(이하 3D 크로스 포인트) 기술을 공개했다. 이 기술은 1989년 낸드 플래시가 소개된 이후 최초로 등장한 새로운 메모리 카테고리로 기존 메모리에 비해 엄청난 성능 향상이 특징이다.

3D 크로스 포인트 기술은 낸드와 비교 시 1,000배 빠른 속도와 1,000배 증가된 내구성, 기존 일반 메모리보다 10배 향상된 용량을 제공한다. 이와 같이 뛰어난 성능이지만, 가격이 저렴하고 전력소비도 낮은 것이 특징이다.

구체적인 기술은 다음과 같다. 3D 크로스 포인트 기술은 트랜지스터 사용을 줄인 크로스포인트 아키텍처 기반이다. 메모리 셀이 워드 라인 및 비트 라인의 교차점에 놓여 3차원의 바둑판 모양을 형성한다. 그 결과 미세한 단위로 데이터를 읽고 쓸 수 있어 빠르고 효율적인 읽기/쓰기 프로세스가 가능하다.

크로스 포인트 어레이 구조는 1,280억 개의 고밀도 패킹 메모리 셀이 수직의 전도체로 연결돼 있고, 각 메모리 셀은 데이터 1비트를 저장할 수 있다. 단순화된 구조로 고성능 고집적도의 비트를 개발할 수 있다.

적층 가능한 구조로 메모리 셀이 여러 레이어로 쌓인다. 현재는 2개의 메모리 레이어에 다이 당 128Gb를 저장할 수 있다. 또한, 트랜지스터가 없는 것이 특징이다. 이는 셀렉터가 이 기능을 대신하기 때문이다. 각 셀렉터로 보내지는 전압량을 다양하게 해 메모리 셀이 쓰기 또는 읽기를 선택할 수 있다. 이로 인해 용량은 늘고 비용을 절감할 수 있다.

마지막으로 주목할 만한 건 빠른 스위칭 셀이다. 작은 셀 사이즈로 빠른 스위칭 셀렉터, 지연시간이 적은 크로스 어레이, 포인트 어레이, 빠른 읽기 알고리즘을 통해 현존 어떤 비휘발성 메모리 기술보다 빠른 상태 전환이 가능하다.

마케팅 총괄 인텔코리아 윤은경 부사장은 “좋은 행사에서 인사를 드리게 돼 반갑다. 사실 오늘은 메모리 반도체 기술에 있어 기념비적인 날이라 생각한다. 89년도에 낸드 플래시가 소개됐고, 낸드의 용량이나 성능에 힘입어 스토리지의 표준으로 자리잡았는데, 그 이후 25년만에 가장 새롭고 혁신적인 기술이다. 이 기술은 3d 크로스포인트라 해서 지난 10년간 마이크론과 비교했고, 연말에 샘플 생산이 들어가는 일정을 갖고 있다.”고 말했다.

메모리 솔루션 부분 찰스 브라운 박사는 “2008년도에 SSD 기술을 소개했을 때 당시 주루였던 HDD의 속도는 밀리세컨드였던 것을 마이크로퍼 세컨드로 줄였다. 이런 진화를 다시 한번 이뤄낼 것이다. 천 배의 속도로 빨라졌기 때문에 나노세컨드 단위로 줄어들게 된다. 1000번 정도의 사이클만 사용할 수 있었는데, 내구성도 1000배로 늘어나 이제 100만 배의 사이클을 견뎌낼 수 있다.”고 말했다.

이어 “이 기술을 통해 메모리에 빠르게 접근할 수 있어 8K 분야의 게이밍이 가능해진다. 엄청난 데이터에 실시간으로 접근할 수 있어, 이전에 불가능했던 실시간 분석으로 신용카드의 부정사용 등을 잡아낼 수 있다. 생명과학 분야 등에도 적합하다. 다수의 샘플을 한 번에 처리해 질병을 치료하거나 신약 개발 등에도 크게 도움될 수 있다. 이 메모리는 유타주에 위치한 인텔 마이크론 공장에서 이미 생산에 들어갔다. 올해 말에는 이를 통해 어떤 제품들을 선보이게 될 것을 발표할 계획이며, 2016년부터 양산에 들어갈 예정이다.”며 “8월 18일부터 20일까지 샌프란시스코에서 벌어질 인텔 개발자 포럼에서 관련 제품에 대한 내용을 상세하게 소개하게 될 기회가 있을 것이다.”고 말했다.


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